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HME-P0系列FPGA采用(yòng)低功耗22nm技(jì )术，除了提供高性能(néng)、低功耗的FPGA内核外，还集成了大量外围设备、以及独特的大容量片上SRAM。
作(zuò)為(wèi)新(xīn)一代高性能(néng)FPGA器件，HME-P0系列支持多(duō)种高带宽传感器接入和显示控制接口处理(lǐ)，特别适合嵌入式显示控制、图像与视觉处理(lǐ)等方面的应用(yòng)场景，如 LCD/LED显示控制、TCON等。
通过使用(yòng)HME-P0系列片内并行计算与存储架构的创新(xīn)、以及运用(yòng)丰富的可(kě)配置软核IP和硬核IP，设计者可(kě)以专注自身应用(yòng)设计，从而提升生产(chǎn)效率。
特性
基于SRAM的FPGA架构
- 多(duō)达12K的6输入查找表
- 多(duō)达23,040的DFF寄存器
- 性能(néng)高达220MHz
嵌入式存储模块
- 128个9Kb可(kě)编程双端口DPRAM
嵌入式DSP模块（MAC）
- 32个DSP 56V2模块或128个10x10 DSP模块
时钟网络
- 32个de-skew全局时钟
- 1个OSC，频率精(jīng)度±5%
- 2个PLL
- 系统内动态时钟管理(lǐ)
I/O
- 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2V LVTTL/LVCMOS常规I/O
- 可(kě)编程源同步I/O
- MIPI D-PHY、LVDS Rx、LVDS Tx、BLVDS
- LVDS I/O速率高达1200Mb/s
存储
- 嵌入式SRAM存储
- 18个32Kx32位SRAM，总计2.2MB
封装(zhuāng)
LQFP176
FBGA256
VBGA324
| 型号 | P0P20-M0H1 | P0P20-M1H1 | P0P20-M2H1 | P0P20-M0X1 | P0P20-M0A1 | |
|
可(kě)编程逻辑块（PLB） |
逻辑单元(K) | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 |
| 查找表LUT6 | 11,520 | 11,520 | 11,520 | 11,520 | 11,520 | |
| 寄存器（Register） | 23,040 | 23,040 | 23,040 | 23,040 | 23,040 | |
|
嵌入式存储模块（EMB） |
9Kb | 128 | 128 | 128 | 128 | 128 |
| Max(Kb) | 1,152 | 1,152 | 1,152 | 1,152 | 1,152 | |
| DSP | 18b*18b | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| PLL | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | |
| OSC | RC | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| SRAM | 128KB | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 |
| Total(KB) | 2,256 | 2,256 | 2,256 | 2,256 | 2,256 | |
| pSRAM | 32Mb | 0 | 2 | 2 | 0 | 0 |
| Total(Mb) | 0 | 64 | 64 | 0 | 0 | |
| eFuse | 128b | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 封装(zhuāng)（单位：mm） | 最大用(yòng)户I/O（LVDS） | |||||
| LQFP176 (22.00x22.00, 0.4 pitch) | 142（0） | 142（0） | 142（0） | - | - | |
| FBGA256 (17.00x17.00, 1.0 pitch) | - | - | - | 186（0） | 179（0） | |
| VFBGA324 (15.00x15.00, 0.8 pitch) | - | - | - | 210（24） | - | |
| 标题 | 版本 | 发布日期 | 文(wén)件格式 |
| H7P0P20N0L176-M2H1_Eth_EVB 开发板原理(lǐ)图 | 2023-12-18 |
H7原理(lǐ)图（1）