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HME-H1C02 FPGA是一款集成了高性能(néng)FPGA、增强型MCU的低功耗、高性价比、高安(ān)全性的SoC产(chǎn)品。采用(yòng)40nm LP工(gōng)艺，128位AES配置文(wén)件密钥及用(yòng)户自定义安(ān)全ID，LVDS接口性能(néng)高达1.2Gbps, 可(kě)广泛应用(yòng)于手机、平板、可(kě)穿戴、VR、AR、无人机和智能(néng)家居等市场。
实现MCU、MIPI和FPGA的完美结合，
集成度高，操作(zuò)灵活，可(kě)扩展性较好
40nm LP工(gōng)艺
高性能(néng)LVDS接口，性能(néng)可(kě)达1.2Gbps
高效的片上互连结构，MCU与FPGA之间采用(yòng)标准的Memory Interface以及SFR总線(xiàn)互连
MCU的通用(yòng)外设无固定IO位置限制，用(yòng)户可(kě)随意分(fēn)配
低功耗，静态功耗低至40uW
128位AES配置文(wén)件密钥及用(yòng)户自定义安(ān)全ID
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型号 |
H1C02N3 |
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逻辑单元 |
1536 |
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可(kě)编程逻辑模块（PLB） |
LUT4 |
1536 |
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寄存器 |
1024 |
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嵌入式存储模块（EMB） |
4.5Kb |
16 |
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最大存储 |
72Kb |
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PLL |
1 |
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片上OSC |
1 |
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MCU |
8051 | 1 |
| UART | 2 | |
| I2C | 1 | |
| SPI | 2 | |
| Timer | 3 | |
| DMA | 1 | |
| SRAM | 1K x 8b | 1 |
| Total | 1KB | |
| SPI Flash | 4Mb | |
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Efuse |
256b |
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封装(zhuāng)（单位：mm） |
最大用(yòng)户I/O（LVDS通道） |
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QFN32 (4x4x0.55, 0.4 pitch) |
24（6） |
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WLCSP33 (2.5x2.9x0.48, 0.4 pitch) |
23（5） |
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| 标题 | 版本 | 发布日期 | 文(wén)件格式 |
| HME-H1C02 系列 FPGA 数据手册 | V_1.8 | 2024-03-01 | |
| HME-H1C02 Family FPGA_Data Sheet | V_1.7 | 2024-03-01 | |
| HME-H1C02_硬件设计注意事项 | V_1.0 | 2022-04-18 | |
| HME-H1C02 在線(xiàn)配置指南 | V_2.0 | 2022-04-18 | |
| HME-H1C02 SPI Flash 扩展应用(yòng)指南 | V_2.0 | 2022-04-18 | |
| HME-H1C02 参考设计指南 | V_1.0 | 2020-12-01 | |
| HME-H1C02_pinlist | Excel |
HME - H1C02（7）