HME-H7系列采用(yòng)低功耗22nm 技(jì )术,集成了高性能(néng)ARM Cortex-M3 MCU、外围设备与大容量片上SRAM。
通过使用(yòng)HME-H7系列可(kě)配置的软核IP、硬核IP和MCU,设计者可(kě)以专注自身应用(yòng)设计,从而提升生产(chǎn)效率。
作(zuò)為(wèi)高性能(néng)器件,HME-H7系列可(kě)广泛应用(yòng)于高性能(néng)MCU控制和处理(lǐ)等的多(duō)种领域,支持多(duō)种高带宽传感器和显示接口,特别适合嵌入式视觉应用(yòng)方面,如LED显示、TCON与工(gōng)业控制。
特性
基于SRAM的FPGA架构
- 多(duō)达12K的6输入查找表
- 多(duō)达23,040的DFF寄存器
- 性能(néng)高达220MHz
嵌入式存储模块
- 128个9Kb可(kě)编程双端口DPRAM
嵌入式DSP模块(MAC)
- 32个DSP 56V2模块或128个10x10 DSP模块
时钟网络
- 32个de-skew全局时钟
- 1个OSC,频率精(jīng)度±5%
- 2个PLL
- 系统内动态时钟管理(lǐ)
I/O
- 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2V LVTTL/LVCMOS常规I/O
- 可(kě)编程源同步I/O
- MIPI D-PHY、LVDS Rx、LVDS Tx、BLVDS
- LVDS I/O速率高达1200Mb/s
MCU
ARM Cortex-M3 MCU
- 32位高性能(néng)处理(lǐ)器,频率高达300MHz
- 出色的快速中(zhōng)断处理(lǐ)性能(néng)
- 强化断点和跟踪调试系统
- 高效处理(lǐ)器核心、系统和存储
- 集成睡眠模式
存储
嵌入式SRAM存储
18个32Kx32位SRAM,总计2.2MB
型号 | H7P20-M0H1 | H7P20-M1H1 | H7P20-M2H1 | H7P20-S1H1 | H7P20-M0X1 | H7P20-M0A1 | |
可(kě)编程逻辑块(PLB) |
Logic cells(K) | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 |
LUT6 | 11,520 | 11,520 | 11,520 | 11,520 | 11,520 | 11,520 | |
Register | 23,040 | 23,040 | 23,040 | 23,040 | 23,040 | 23,040 | |
嵌入式存储模块(EMB) |
9Kb | 128 | 128 | 128 | 128 | 128 | 128 |
Max(Kb) | 1,152 | 1,152 | 1,152 | 1,152 | 1,152 | 1,152 | |
DSP | 18b*18b | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 |
PLL | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | |
OSC | RC | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
MCU | Cortex-M3 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
UART | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | |
I2C | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | |
SPI | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 | |
GPIO | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | |
Timer | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | |
WDG | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | |
DMA | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | |
SRAM | 128KB | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 |
Total (KB) | 2,256 | 2,256 | 2,256 | 2,256 | 2,256 | 2,256 | |
pSRAM | 32Mb | 0 | 1 | 2 | 0 | 0 | 0 |
Total(Mb) | 0 | 32 | 64 | 0 | 0 | 0 | |
SDRM | 64Mb | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 |
Total(Mb) | 0 | 0 | 0 | 64 | 0 | 0 | |
eFuse | 128b | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
封装(zhuāng)(单位:mm) | 最大用(yòng)户I/O (LVDS通道) | ||||||
LQFP176 (22.00x22.00, 0.4 pitch) | 142 (0) | 142 (0) | 142 (0) | - | - | - | |
FBGA256 (17.00x17.00, 1.0 pitch) | - | - | - | 186 (0) | 179 (0) | ||
VFBGA324 (15.00x15.00, 0.8 pitch) | - | - | - | 210 (24) | - | ||
TFBGA213 (12.00x12.00, 0.8 pitch) | - | - | - | 173 (18) | - | - |
标题 | 版本 | 发布日期 | 文(wén)件格式 |
H7P0P20N0L176-M2H1_Eth_EVB 开发板原理(lǐ)图 | 2023-12-18 |